Добавить в избранное Отправить письмо Главная

 
Создание неповторимого интерьера в оформлении вашей квартиры наша основная задача
 
РостовСтрой Индустрия солнечной энергетики.

Солнечные батареи третьего поколения


Солнечные батареи третьего поколения, состоящие из кремниевых нановискеров (silicon nanowires SiNWs), последние несколько лет привлекают огромное внимание исследователей. По оценкам, сделанным специалистами компании General Electric и California Institute of Technology, эффективность таких устройств может достигать 20%.

Подобные структуры обычно получают методами физического или химического осаждения (MBE, EBE или CVD), существенным недостатком которых является сложность достижения высокой кристалличности SiNWs с заданной концентрацией примеси и четкой границей p-n перехода. В то же время получение объемных кремниевых структур с теми же характеристиками является давно решенной технологической задачей.

Ученые из Германии получили массивы высокоориентированных полупроводниковых нановискеров с помощью электрохимического травления тонких кремниевых пленок. При этом полученные структуры характеризуются малой дефектностью, сохраняют необходимые полупроводниковые характеристики и обладают низким коэффициентом отражения.

На боросиликатное стекло электронно-лучевым испарением (EBE) последовательно осаждали слои легированного определенным образом аморфного кремния: 200-400 нм слой, легированный бором (конц.примеси 5*1019 см-3), который затем кристаллизовался лазерным лучом мощностью 10 кВ/см2 со скоростью 3.3 см/с, и 2 слоя, легированных фосфором (2 мкм слой с конц. примеси 6*1016 см-3 и 300 нм слой с конц. примеси 5*1019см-3), кристаллизованные импульсным лазером с длинной волны 248 нм и плотностью энергии 600 мДж/см2. Для электрохимического травления использовали смесь 0,02 М AgNO3 и 5 М HF в объемном отношении 1:1. Процедура травления 3 мкм пленки занимала порядка 30 минут.

Полученные SiNWs, по данным просвечивающей электронной микроскопии, представляли собой стержни длиной 2.3-2.5 мкм и диаметром от 20 до 100 нм. Средний коэффициент отражения для SiNWs в диапазоне длин волн от 300 до 1000 нм составил всего 5%, что значительно ниже 30% для объемного полированного кремния. Вольт-амперные характеристики полученного материала представлены на рис.5. Максимальная фотоэлектрическая эффективность полученного материала составляет приблизительно 4.4%.





<< НАЗАД В СПИСОК СТАТЕЙ 

Главная Главная
Индивидуальное строительство Индивидуальное строительство
Материалы Материалы
Перепланировка Перепланировка
Ремонт квартир и офисов Ремонт квартир и офисов
Ремонт полов Ремонт полов
Отделка стен Отделка стен
Ремонт потолка Ремонт потолка
Дизайн Дизайн интерьера
Электромонтажные работы Электромонтажные работы
Отопительные системы Отопительные системы
Умный дом Умный дом
Технологии Технологии
Архитектура Архитектура
Ландшафтный дизайн и благоустройство Ландшафтный дизайн и благоустройство
Фэн-шуй планировка Фэн-шуй планировка
Археология Археология
Наши работы Наши работы
Контакты Контакты


Яндекс цитирования
Rambler's Top100
 
Энергосберегающие технологии | Дизайн интерьеров | Офисные перегородки | Ландшафтный дизайн | Стили в архитектуре | Умный дом | Пирамидостроение
Строительство | Ремонт квартир | Сантехника и отопление | Солнечные технологии | Освещение интерьера | Словарь камня | Теплый пол

1
РостовСтрой   © 2006—2017 Rostovstroi.ru